EZ-IO-F

优点

• 极低的倾斜
• 基于纳米技术的聚四氟乙烯层压板
• FR4 的钻孔质量（1000+ 次/钻头）
• FR4 的注册
• 极低的玻璃纤维含量 (~10 %)
• 批次内 <0.18 % 的 DK 变化
• 温度稳定的 DK
• 能够容纳 40+ 层大幅面 PWB
• 耐 CAF

• 应用

• 25 gbps 及以上的半导体试验/试验和测量/光数据传输和背板路由器/微波与数字信号相结合的混合 FR4 PWB/航空电子和航天
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• EZ-IO-F是一种基于纳米技术,延展布纹和聚四氟乙烯的热稳定复合材料。纳米二氧化硅可确保钻孔质量与FR4材料相当。EZ-IO-F基于极 低 (~10 wt%) 的玻璃纤维含量。 延展布纹的性质提供了均匀的介电常数和阻抗，如Skew试验所示。EZ-IO-F针对下一代数字电路而创建，其中数字传输速度自25gbps开 始，达到112gbps。 EZ-IO-F还设计用于在日益增高的频率下运行的微波应用，其中需要将数字和微波电路结合到一个PWB上。开发EZ-IO-F的目的是在难度 最大的30-40层数字应用中挑战制造商级别的最佳FR4材料。 Skew试验表明最大Skew为0.3皮秒/英寸，平均Skew小于0.1皮秒/英寸，且无底片旋转。底片旋转15°表明最大Skew约为0.05皮秒/英 寸，平均Skew接近于零。 有趣的是，在1-20GHz范围内进行试验时，相对于频率而言，Skew是平坦的。 EZ-IO-F采用业界领先的无轮廓铜制造。较新的ULP铜优于压延铜，是高性能层压板的新基准。与HVLP或压延铜相比，ULP铜可显著降低 插入损耗。 EZ-IO-F最好与AGC的FR-28-0040-50S (DF = 0.0018 @ 10 Ghz) 非增强型半固化片结合，以实现具有约5wt%玻璃纤维的带状线 通道。AGC的fastRise™ 半固化片是市售损耗最低的半固化片，可在类似FR4的215摄氏度压合温度下进行层压。EZ-IO-F/fastRise™ 的 低插入损耗只有纯聚四氟乙烯层压板可与之媲美。fastRise™ 通常在77Ghz下使用，将与任何熔接层压板展开有利竞争，无熔接成本与 挑战。
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